Физика конденсированных сред
ЗАВИСИМОСТЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КОМПОЗИТОВ НА ОСНОВЕ НИТРАТА РУБИДИЯ ОТ ХАРАКТЕРИСТИК МАТРИЦ ВНЕДРЕНИЯМЕХАНИЗМЫ РАДИАЦИОННОГО ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ОКСИДЕ ЦИНКА ПРИ КОМПЛЕКСНОМ ОБЛУЧЕНИИПОВЫШЕНИЕ ФОТАКАТАЛИТИЧЕСКОЙ АКТИВНОСТИ ОКСИДА ВИСМУТА ОБРАБОТКОЙ ПЛАЗМОЙ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО РАЗРЯДААТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ ПРИРОДНЫХ СУБМИКРОННЫХ ФОРМ ЗОЛОТАДИНАМИКА НАНОЧАСТИЦ В ЖИДКОФАЗНОЙ СРЕДЕ С УЧЕТОМ НЕЛИНЕЙНОЙ КОНЦЕНТРАЦИОННОЙ ЗАВИСИМОСТИ КОЭФФИЦИЕНТА ВЯЗКОСТИДиэлектрические свойства сегнетоэлектрического композита на основе бромида диизопропиламмония и нитрата цезияИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ХЛОРИДА ПАЛЛАДИЯ В ПОЛИМЕРНОЙ МАТРИЦЕ МЕТОДОМ АБСОРБЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИХАОТИЧЕСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ ЗАРЯЖЕННЫХ ДИСЛОКАЦИЙ В ГЕТЕРОКОНТАКТАХСТРУКТУРА АМОРФНОГО СПЛАВА Co58Ni10Fe5Si11B16 В ЗАВИСИМОСТИ ОТ РЕЖИМОВ ПОЛУЧЕНИЯДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА НИТРАТА ЦЕЗИЯ, ВНЕДРЕННОГО В УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИФОРМИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРИНЦИПОВ КВАНТОВЫХ ВЫЧИСЛЕНИЙ КАК ОСНОВЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ БУДУЩИХ КВАНТОВЫХ КОМПЬЮТЕРОВ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ СЛОЕВ Si И Ge.ФОРМИРОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК СИЛИЦИДА МАГНИЯ НА Si (111) И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ЭЛЕМЕНТНОГО СОСТАВАМОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОХОЖДЕНИЯ ПОТОКА ПРОТОНОВ И ЭЛЕКТРОНОВ С РАЗЛИЧНЫМИ ЧАСТИЦА ОКСИДА АЛЮМИНИЯ